靶材的(de)主要性能要求

靶材的(de)主要性能要求

純度

    純度是靶材的(de)主要性能指标之一(yī)，因為(wèi)靶材的(de)純度對薄膜的(de)性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的(de)純度要求也不盡相同。例如(rú)，随着微電子(zǐ)行業的(de)迅速發展，矽片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的(de)靶材純度可(kě)以滿足0.35umIC的(de)工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。 

雜質含量

    靶材固體中的(de)雜質和(hé)氣孔中的(de)氧氣和(hé)水氣是沉積薄膜的(de)主要污染源。不同用途的(de)靶材對不同雜質含量的(de)要求也不同。例如(rú)，半導體工業用的(de)純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和(hé)放射性元素含量都有特殊要求。 

密度

    為(wèi)了減少靶材固體中的(de)氣孔，提高(gāo)濺射薄膜的(de)性能，通常要求靶材具有較高(gāo)的(de)密度。靶材的(de)密度不僅影響濺射速率，還影響着薄膜的(de)電學(xué)和(hé)光學(xué)性能。靶材密度越高(gāo)，薄膜的(de)性能越好。此外，提高(gāo)靶材的(de)密度和(hé)強度使靶材能更好地(dì)承受濺射過程中的(de)熱應力。密度也是靶材的(de)關鍵性能指标之一(yī)。 

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

    通常靶材為(wèi)多晶結構，晶粒大小可(kě)由微米到毫米量級。對于同一(yī)種靶材，晶粒細小的(de)靶的(de)濺射速率比晶粒粗大的(de)靶的(de)濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的(de)靶濺射沉積的(de)薄膜的(de)厚度分布更均勻。