磁控濺射原理(lǐ)：電子(zǐ)在電場的(de)作用下加速飛(fēi)向基片的(de)過程中與氩原子(zǐ)發生碰撞，電離(lí)出大量的(de)氩離(lí)子(zǐ)和(hé)電子(zǐ)，電子(zǐ)飛(fēi)向基片。氩離(lí)子(zǐ)在電場的(de)作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的(de)靶材原子(zǐ)，呈中性的(de)靶原子(zǐ)(或分子(zǐ))沉積在基片上成膜。二次電子(zǐ)在加速飛(fēi)向基片的(de)過程中受到磁場洛侖磁力的(de)影響，被束縛在靠近靶面的(de)等離(lí)子(zǐ)體區域內(nèi)，該區域內(nèi)等離(lí)子(zǐ)體密度很高(gāo)，二次電子(zǐ)在磁場的(de)作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子(zǐ)的(de)運動路徑很長(cháng)， 在運動過程中不斷的(de)與氩原子(zǐ)發生碰撞電離(lí)出大量的(de)氩離(lí)子(zǐ)轟擊靶材，經過多次碰撞後電子(zǐ)的(de)能量逐漸降低(dī)，擺脫磁力線的(de)束縛，遠離(lí)靶材，最終沉積在基片上。
磁控濺射就是以磁場束縛和(hé)延長(cháng)電子(zǐ)的(de)運動路徑，改變電子(zǐ)的(de)運動方向，提高(gāo)工作氣體的(de)電離(lí)率和(hé)有效利用電子(zǐ)的(de)能量。電子(zǐ)的(de)歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子(zǐ)歸宿。但一(yī)般基片與真空室及陽極在同一(yī)電勢。磁場與電場的(de)交互作用( E X B drift)使單個電子(zǐ)軌迹呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的(de)濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。 在E X B shift機理(lǐ)下工作的(de)不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離(lí)子(zǐ)源，等離(lí)子(zǐ)源等都在次原理(lǐ)下工作。所不同的(de)是電場方向，電壓電流大小而已。
