可(kě)以分為(wèi)直流磁控濺射法和(hé)射頻磁控濺射法。
直流濺射法要求靶材能夠将從離(lí)子(zǐ)轟擊過程中得到的(de)正電荷傳遞給與其緊密接觸的(de)陰極，從而該方法隻能濺射導體材料，不适于絕緣材料，因為(wèi)轟擊絕緣靶材時表面的(de)離(lí)子(zǐ)電荷無法中和(hé)，這将導緻靶面電位升高(gāo)，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的(de)離(lí)子(zǐ)加速與電離(lí)的(de)機會将變小，甚至不能電離(lí)，導緻不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的(de)非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。
濺射過程中涉及到複雜的(de)散射過程和(hé)多種能量傳遞過程：首先，入射粒子(zǐ)與靶材原子(zǐ)發生彈性碰撞，入射粒子(zǐ)的(de)一(yī)部分動能會傳給靶材原子(zǐ)，某些靶材原子(zǐ)的(de)動能超過由其周圍存在的(de)其它原子(zǐ)所形成的(de)勢壘(對于金屬是5-10eV)，從而從晶格點陣中被碰撞出來，産生離(lí)位原子(zǐ)，并進一(yī)步和(hé)附近的(de)原子(zǐ)依次反複碰撞，産生碰撞級聯。當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如(rú)果靠近靶材表面的(de)原子(zǐ)的(de)動能大于表面結合能(對于金屬是1-6eV)，這些原子(zǐ)就會從靶材表面脫離(lí)從而進入真空。
濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子(zǐ)轟擊靶表面，使被轟擊出的(de)粒子(zǐ)沉積在基片上的(de)技術。通常，利用低(dī)壓惰性氣體輝光放電來産生入射離(lí)子(zǐ)。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為(wèi)陽極，真空室中通入0.1-10Pa的(de)氩氣或其它惰性氣體，在陰極(靶)1-3KV直流負高(gāo)壓或13.56MHz的(de)射頻電壓作用下産生輝光放電。電離(lí)出的(de)氩離(lí)子(zǐ)轟擊靶表面，使得靶原子(zǐ)濺出并沉積在基片上，形成薄膜。目前濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離(lí)子(zǐ)束濺射以及反應濺射等。
由于被濺射原子(zǐ)是與具有數十電子(zǐ)伏特能量的(de)正離(lí)子(zǐ)交換動能後飛(fēi)濺出來的(de)，因而濺射出來的(de)原子(zǐ)能量高(gāo)，有利于提高(gāo)沉積時原子(zǐ)的(de)擴散能力，提高(gāo)沉積組織的(de)緻密程度，使制出的(de)薄膜與基片具有強的(de)附着力。
濺射時，氣體被電離(lí)之後，氣體離(lí)子(zǐ)在電場作用下飛(fēi)向接陰極的(de)靶材，電子(zǐ)則飛(fēi)向接地(dì)的(de)壁腔和(hé)基片。這樣在低(dī)電壓和(hé)低(dī)氣壓下，産生的(de)離(lí)子(zǐ)數目少，靶材濺射效率低(dī)；而在高(gāo)電壓和(hé)高(gāo)氣壓下，盡管可(kě)以産生較多的(de)離(lí)子(zǐ)，但飛(fēi)向基片的(de)電子(zǐ)攜帶的(de)能量高(gāo)，容易使基片發熱甚至發生二次濺射，影響制膜質量。另外，靶材原子(zǐ)在飛(fēi)向基片的(de)過程中與氣體分子(zǐ)的(de)碰撞幾率也大為(wèi)增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的(de)污染。
為(wèi)了解決上述缺陷，人們在20世紀70年(nián)代開發出了直流磁控濺射技術，它有效地(dì)克服了陰極濺射速率低(dī)和(hé)電子(zǐ)使基片溫度升高(gāo)的(de)弱點，因而獲得了迅速發展和(hé)廣泛應用。
其原理(lǐ)是：在磁控濺射中，由于運動電子(zǐ)在磁場中受到洛侖茲力，它們的(de)運動軌迹會發生彎曲甚至産生螺旋運動，其運動路徑變長(cháng)，因而增加了與工作氣體分子(zǐ)碰撞的(de)次數，使等離(lí)子(zǐ)體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的(de)提高(gāo)，而且可(kě)以在較低(dī)的(de)濺射電壓和(hé)氣壓下工作，降低(dī)薄膜污染的(de)傾向；另一(yī)方面也提高(gāo)了入射到襯底表面的(de)原子(zǐ)的(de)能量，因而可(kě)以在很大程度上改善薄膜的(de)質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的(de)電子(zǐ)到達陽極時，已變成低(dī)能電子(zǐ)，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高(gāo)速”、“低(dī)溫”的(de)優點。該方法的(de)缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的(de)不均勻磁場會使靶材産生顯著的(de)不均勻刻蝕，導緻靶材利用率低(dī)，一(yī)般僅為(wèi)20%-30%。
